36A 100V MOS ST36N10D 低导通电压低导通电阻发热低

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    品牌 其他 型号 ST36N10D 封装 To-252/251
    批号 最新批号 FET类型 mosfet 漏源电压(Vdss) 100V
    漏极电流(Id) 20A 漏源导通电阻(RDS On) 40mΩ 栅源电压(Vgs) 20V
    栅极电荷(Qg) 61nC 反向恢复时间 80ns 最大耗散功率 1000(mW)
    配置类型 增强型 工作温度范围 -55度-175度 安装类型 贴片/直插
    应用领域 安防设备,照明电子,汽车电子 导电方式 增强型
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